2025-08-02 / 芯片半导体 / 暂无浏览 An Analytical Model of Dynamic Power Losses in eGaN HEMT Power Devices An Analytical Model of Dynamic Power Losses in eGaN HEMT Power Devices下载 0 This post has no comment yet 发表回复 取消回复您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注评论 * 显示名称 * 邮箱 * 网站 在此浏览器中保存我的显示名称、邮箱地址和网站地址，以便下次评论时使用。 上一篇 Mechanism Analysis of DynamicOn-State Resistance Degradationfor a Commercial GaN HEMTUsing Double Pulse Test 下一篇 Impacts of Backside Insulation on the Dynamic On- Resistance of Lateral p-GaN HEMTs-on-Si
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