2025-08-05 / 芯片半导体 / 6 浏览 Gate leakage reduction in AlGaN/GaN HEMTs using in situi on treatment Gate_leakage_reduction_in_AlGaNGaN_HEMTs_using_in_下载 0 This post has no comment yet 发表回复 取消回复您的邮箱地址不会被公开。 必填项已用 * 标注评论 * 显示名称 * 邮箱 * 网站 在此浏览器中保存我的显示名称、邮箱地址和网站地址，以便下次评论时使用。 上一篇 Nonlinear Capacitance Compensation Method for Integrating a Metal–Semiconductor–Metal Varactor with a Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor Power Amplifier
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